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2SC4139 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
集电极电流（I_C）：15A（脉冲 30A）
集电极耗散功率（P_C）：120W @ T_C=25℃
高耐压、高速开关三重扩散平面工艺
封装：TO-3P

2SC4139 是一款 500V/15A NPN 三重扩散平面功率三极管，TO-3P 封装，高耐压与高速开关特性兼备，适合开关稳压器及通用开关/放大应用，为 Sanken 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3P	500	400	15	120	10~30	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	10	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	30	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	120	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=25mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=8A；I_B=1.6A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=8A；I_B=1.6A	--	1.3	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=500V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=10V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=4V	10	30	--
f_T	特征频率	I_E=-1.5A；V_CE=12V	--	10	MHz
C_ob	集电极输出电容	f=1MHz；V_CB=10V	--	85	pF
t_on / t_stg / t_f	开通 / 存储 / 下降时间	I_C=8A；I_B1=0.8A；I_B2=-1.6A	--	1.0 / 3.0 / 0.5	µs

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulator）功率级。
通用开关通用开关应用（General purpose switching）。
通用放大通用放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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