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2SC4160 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：500V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：4A（连续），峰值 8A，基极电流 1.5A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.8V（Max）@ I_C=2A
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 50 @ I_C=0.4A
高耐压、开关速度快、安全工作区宽
封装：TO-220F

2SC4160 是一款 400V / 4A / 25W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，耐压高、开关速度快、安全工作区宽，适用于开关稳压器与通用开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-N	500	400	7	4	25	0.8	15 ~ 50	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	500	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=400V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.4A；V_CE=5V	15	50	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	10	--	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	10	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	0.8	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.5	V

应用

开关稳压器400V/4A 段的反激、正激开关电源主开关管。
通用开关电路工业控制中的高压通断。
DC-DC 变换器高压输入变换器功率级。
电子镇流器荧光灯电子镇流器开关级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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