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2SC4226 国产替代Silicon NPN RF Transistor

Silicon NPN RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
低集电极电流：I_C=100mA
低耗散功率：P_C=100mW @ T_C=25℃
高特征频率：f_T=4.5GHz（典型值）
低噪声系数：NF=1.3dB（典型值）@ V_CE=3V，I_C=7mA，f=1GHz
高功率增益 |S21|²：9.5dB（典型值）@ f=1GHz
SOT-323 小型封装，适合高密度表面贴装

2SC4226 是一款硅 NPN 射频三极管，采用 SOT-323 小型封装，具有低噪声、高增益与高特征频率特性，适用于宽带低噪声放大器等高频应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-323	Single-N	20	12	3	0.1	--	50	300	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	12	V
V_EBO	发射极-基极电压	3	V
I_C	集电极电流（连续）	100	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	mW
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1µA，I_B=0	20	--	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=10V，I_E=0	--	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=1V，I_C=0	--	--	1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=7mA，V_CE=3V	50	150	300	--
f_T	特征频率	I_C=7mA，V_CE=3V	3.5	4.5	--	GHz
C_re	输出电容	I_E=0，V_CB=10V，f=1MHz	--	0.65	1.0	pF
\|S21\|²	功率增益	V_CE=3V，I_C=3mA，f=1GHz	--	8.5	--	dB
\|S21\|²	功率增益	V_CE=3V，I_C=5mA，f=1GHz	--	9	--	dB
\|S21\|²	功率增益	V_CE=3V，I_C=7mA，f=1GHz	--	9.5	--	dB
\|S21\|²	功率增益	V_CE=3V，I_C=10mA，f=1GHz	--	11	--	dB
NF	噪声系数	V_CE=3V，I_C=7mA，f=1GHz	--	1.3	2.0	dB
NF	噪声系数	V_CE=10V，I_C=5mA，f=1GHz	--	1.5	2.5	dB

h_FE 分档

档位	R23	R24	R25
h_FE 范围	50 ~ 100	80 ~ 150	125 ~ 300

应用

低噪声放大宽带/宽频低噪声放大器（Broadband / Wideband Low Noise Amplifier）。
射频前端射频前端低噪声放大（RF Front-end）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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