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2SC4228 国产替代NPN Silicon RF Transistor

NPN Silicon RF Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极-发射极电压（V_CEO）：10V
集电极电流（I_C）：35mA
总耗散功率（P_tot）：150mW（自由空气）
特征频率（f_T）：8.0GHz（Typ）@ 2GHz
低噪声：NF=1.9dB（Typ）；高增益：|S_21e|²=7.5dB（Typ）
封装：SOT-323（SC-70，超小型 3 脚，1 发射极 / 2 基极 / 3 集电极）

2SC4228 是一款低工作电压的硅 NPN 外延平面射频三极管，采用 SOT-323（SC-70）超小型表面贴装封装，噪声低、增益高、特征频率达 8GHz，适用于 VHF / UHF 频段低噪声放大与高密度贴片组装，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-323 (SC-70)	Single-N	20	10	1.5	0.035	--	50	250	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	10	V
V_EBO	发射极-基极电压	1.5	V
I_C	集电极电流	35	mA
P_tot	总耗散功率（自由空气）	150	mW
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=10V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=1V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=3V；I_C=5mA	50	250	--
f_T	特征频率	V_CE=3V；I_C=5mA；f=2GHz	5.5	8.0	GHz
C_re	反馈电容	V_CB=3V；I_E=0；f=1MHz	--	0.7	pF
\|S_21e\|²	插入功率增益	V_CE=3V；I_C=5mA；f=2GHz	5.5	7.5	dB
NF	噪声系数	V_CE=3V；I_C=5mA；f=2GHz	--	3.2	dB

应用

低噪声放大VHF / UHF 频段的低噪声前置放大应用。
射频接收前端无线通信接收机前端的高频放大应用。
高密度贴片空间受限的高密度表面贴装电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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