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2SC4233 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压：V_CEO(SUS)=800V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：1200V
高击穿电压设计，适合开关电源
集电极电流（I_C）：3A（脉冲 6A）；基极电流（I_B）：1A
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1.5A
开关速度快：t_on=0.5µs，t_f=0.3µs
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.08℃/W
封装：TO-220

2SC4233 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 800V 高击穿电压与快速开关特性，适用于开关电源等高频高压开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	1200	800	7	3	1.0	8	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	1200	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	800	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	6	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
I_BM	基极电流（脉冲）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=0.1A；R_BE=∞	800	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=0.3A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=0.3A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	额定电压下	--	100	µA
I_CEO	集电极截止电流	额定电压下	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	额定电压下	--	100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1.5A；V_CE=5V	8	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1mA；V_CE=5V	7	--	--
f_T	特征频率	I_C=0.3A；V_CE=10V	--	8	MHz
t_on	导通时间	V_BB2=4V；I_C=1.5A；I_B1=0.3A；I_B2=0.6A；R_L=170Ω	--	0.5	µs
t_stg	存储时间	同上	--	3.5	µs
t_f	下降时间	同上	--	0.3	µs

应用

开关电源开关电源（Switching Power Supply）高压开关级。
高压开关通用高压开关（High-Voltage Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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