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2SC4300 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：800V（最小），V_CBO 900V
集电极电流（I_C）：5A，峰值 10A
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 0.5V @ I_C=2A，I_B=0.4A（V_BE(sat) 1.2V）
h_FE 10~30 @ I_C=2A，V_CE=4V
TO-3PML 封装，大电流高压开关应用

NPN 三重扩散平面型硅功率晶体管，800V/5A/75W，兼顾高压与低饱和压降，适用于开关稳压器与通用功率开关场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3PML	NPN	800	900	5	75	10~30	0.5

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	900	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	10	A
I_B	基极电流（连续）	2.5	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	75	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=4V	10	30	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=2A；I_B=0.4A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=2A；I_B=0.4A	--	1.2	V

应用

开关稳压电源800V 耐压与 5A 电流能力，用于 220V 交流输入的反激/正激变换器主开关。
通用高压开关需要 800V 级耐压、低饱和压降的功率开关电路。
逆变与转换大功率变换器功率级，75W 耗散配合散热器可承载较大平均电流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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