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2SC4331 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极电流（I_C）：5A（脉冲 10A）
饱和压降：V_CE(sat)=0.3V（Max）@ I_C=3A，I_B=0.15A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 400 @ I_C=1A
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
快速开关、饱和压降低
封装：TO-251（IPAK）

2SC4331 是硅 NPN 外延功率三极管，专为高速开关设计，具有 100V/5A 的电压电流能力与极低的集电极饱和压降，适用于开关稳压器、DC-DC 转换器、电机与电磁阀驱动，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251	Single-N	150	100	7	5	0.3	100	400	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.15A	--	1.2	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.2A	--	1.5	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.15A	--	0.3	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.2A	--	0.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=2V	100	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	100	400	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	60	--	--

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulators）应用。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC/DC converters）应用。
电机与电磁阀驱动电机驱动、电磁阀驱动（Motor / Solenoid drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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