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2SC4793 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：230V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：230V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=0.5A
集电极电流（I_C）：1A；基极电流（I_B）：0.1A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：100 ~ 320 @ I_C=100mA
与 2SA1837 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：6.25℃/W
封装：TO-220F

2SC4793 是一款硅 NPN 功率三极管，具有高击穿电压与高特征频率特性，适用于功率放大器驱动级与功率放大应用，与 2SA1837 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	230	230	5	1	1.5	100	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	230	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1	A
I_B	基极电流（连续）	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=230V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE= -5V	100	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B= -50mA	--	1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=500mA；V_CE= -5V	--	1.0	V

应用

功率放大功率放大器（Power Amplifier）应用。
驱动级放大驱动级放大器（Driver Stage Amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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