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2SC4881 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
低饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=2.5A
集电极电流（I_C）：5A（脉冲 8A）
高速开关特性
与 2SA1931 互补
封装：TO-220

2SC4881 是一款硅 NPN 高电流开关三极管，具有 50V/5A 的电流承载能力与低饱和压降，适用于开关稳压器与通用开关应用，与 2SA1931 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	50	5	5	0.4	100	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	8	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率	20	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	100	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2.5A；V_CE=1V	60	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=125mA	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2.5A；I_B=125mA	--	1.3	V

应用

开关稳压器开关稳压器（Switching regulator）应用。
通用开关通用开关与功率驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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