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2SC5171 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：180V（Min）
集电极电流（I_C）：2A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 320 @ I_C=0.1A
与 2SA1930（PNP）互补配对
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC5171 是一款硅 NPN 外延型功率三极管，具有 180V/2A 的电压电流能力与 20W 耗散功率，增益高、饱和压降低，与 PNP 型 2SA1930 互补配对，适用于功率放大器驱动级、开关稳压器与变换器等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N	180	180	5	2	1.0	100	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	180	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
I_B	基极电流	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=180V；I_E=0	--	5.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=5V	100	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.1A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=5V	--	1.5	V

应用

功率放大功率放大器（Power amplifier）应用。
驱动级放大驱动级放大器（Driver stage amplifier）应用。
开关稳压器开关稳压器与变换器（Switching regulator / converter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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