2SC5227A 国产替代NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：20V
集电极-发射极电压（V_CEO）：10V
集电极电流（I_C）：70mA
低噪声：NF=1.0dB（Typ）@ f=1GHz
高增益：|S_21e|²=12dB（Typ）@ f=1GHz
高特征频率（f_T）：5GHz（Min），7GHz（Typ）
低输出电容：C_ob=1.2pF（Max）
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 270（3/4/5 三档）
封装：SOT-23（CP）（1 基极 / 2 发射极 / 3 集电极）

2SC5227A 是一款硅 NPN 外延平面型高频低噪声三极管，采用 SOT-23（CP）小型贴片封装，具有 20V/70mA 的电压电流能力、1.0dB 的低噪声系数、12dB 的高增益与 7GHz 的特征频率，适用于 VHF~UHF 宽带低噪声放大器（LNA）等高频小信号放大场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (mA)	P_C (mW)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
SOT-23 (CP)	Single-N	20	10	2	70	200	60	270	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	20	V
V_CEO	集电极-发射极电压	10	V
V_EBO	发射极-基极电压	2	V
I_C	集电极电流	70	mA
P_C	集电极耗散功率	200	mW
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=10V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=1V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=5V；I_C=20mA	60	270	--
f_T	特征频率	V_CE=5V；I_C=20mA	5	7	GHz
C_ob	输出电容	V_CB=10V；f=1MHz	--	1.2	pF
C_re	反向传输电容	V_CB=10V；f=1MHz	--	0.5	pF
\|S_21e\|²	正向传输增益	V_CE=5V；I_C=20mA；f=1GHz	9	12	dB
NF	噪声系数	V_CE=5V；I_C=7mA；f=1GHz	--	1.8	dB

h_FE 分档

档位	3	4	5
h_FE 范围	60-120	90-180	135-270

应用

宽带低噪声放大VHF~UHF 宽带低噪声放大器（Wide-band low-noise amplifier）应用。
高频小信号放大通信与视频前端的高频小信号放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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