Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SC5296 是一款硅 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-3PML 封装，具有 800V/8A 的电压电流能力、1500V 的集电极-基极耐压与 60W 的集电极耗散功率，内部集成阻尼二极管、开关速度快，专为超高清 CRT 显示器的行偏转输出级设计，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE1 (1A) | hFE2 (5A) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3PML | Single-N | 1500 | 800 | 6 | 8 | 5.0 | 15 ~ 25 | 4 ~ 7 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 1500 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 800 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 6 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 8 | A |
| ICP | 集电极电流（峰值） | 16 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ TC=25℃ | 60 | W |
| TJ | 结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 2.08 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=10mA；IB=0 | 800 | -- | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=800V；IE=0 | -- | 10 | µA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=4V；IC=0 | 40 | 130 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=1A；VCE=5V | 15 | 25 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=5A；VCE=5V | 4 | 7 | -- |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=5A；IB=1.25A | -- | 5.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=5A；IB=1.25A | -- | 1.5 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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