Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SC5354 是一款硅 NPN 高压功率三极管，具有 800V 高击穿电压与高速开关特性，适用于高速 DC-DC 转换器及开关稳压器应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3P | Single-N | 900 | 800 | 7 | 5 | 1.0 | 15 | 60 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 900 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 800 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 7 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 5 | A |
| ICM | 集电极电流（脉冲） | 10 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 2 | A |
| PC | 集电极耗散功率 | 100 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.25 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | 集电极-基极击穿电压 | IC=1mA；IE=0 | 900 | -- | V |
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=10mA；IB=0 | 800 | -- | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=800V；IE=0 | -- | 0.1 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=7V；IC=0 | -- | 1 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=1mA；VCE=5V | 10 | -- | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=0.5A；VCE=5V | 15 | 60 | -- |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=2A；IB=0.4A | -- | 1.0 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=2A；IB=0.4A | -- | 1.3 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。
公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）
电话：0510-85346300
官网：www.iscsemi.com
地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号