当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC5548A 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：600V
集电极-发射极电压（V_CEO）：400V
集电极电流（I_C）：2A（连续）
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=0.8A，I_B=0.1A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 100 @ I_C=0.2A
集电极耗散功率（P_C）：1W @ T_a=25℃（15W @ T_C=25℃）
h_FE 线性度好、开关速度快
封装：TO-252（DPAK）

2SC5548A 是硅 NPN 三重扩散功率三极管，采用 TO-252（DPAK）贴片封装，具有 400V 的高集电极-发射极电压与 2A 的集电极电流，h_FE 线性度好、开关速度快，适用于继电器驱动、高速逆变器与转换器，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252	Single-N	600	400	7	2	1.0	40	100	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	600	V
V_CEO	集电极-发射极电压	400	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	600	--	V
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.8A；I_B=0.1A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=0.8A；I_B=0.1A	--	1.3	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=480V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1mA；V_CE=5V	20	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.2A；V_CE=5V	40	100	--

应用

继电器驱动继电器驱动（Relay drivers）应用。
高速逆变器高速逆变器、转换器（High-speed inverters / converters）应用。
大电流开关通用大电流开关（General high current switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号