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2SC5707 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：50V（Min）
集电极-基极电压 V_CBO：80V
集电极电流 I_C：8A（峰值 I_CM=11A）
低饱和压降 V_CE(sat)：0.24V（Max）@ I_C=3.5A
直流电流增益 h_FE：200 ~ 560 @ I_C=0.5A
特征频率 f_T：330MHz（Typ.）
开关速度快，适用于大电流开关驱动
封装：TO-251（IPAK）/ TO-252（DPAK）

2SC5707 是一款 50V/8A 的硅 NPN 功率三极管，饱和压降低、开关速度快、增益线性度好，适用于 DC/DC 转换器、继电器/灯/电机驱动等大电流开关场合，为三洋（SANYO）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	f_T (MHz)	T_j (℃)
TO-251 / TO-252	50	8	15	200 ~ 560	330	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	11	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.0	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=2V	200	560	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=3.5A；I_B=175mA	--	0.24	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=2.0A；I_B=40mA	--	0.17	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=2.0A；I_B=40mA	--	1.2	V
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	28	pF
f_T	特征频率	I_C=500mA；V_CE=10V	--	330	MHz

应用

DC/DC 转换器开关型 DC/DC 转换与功率变换。
继电器驱动继电器线圈驱动（Relay drivers）。
灯驱动车灯、指示灯等负载驱动（Lamp drivers）。
电机驱动小型直流电机驱动（Motor drivers）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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