当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SC5915 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：50V，V_CBO 120V
集电极电流（I_C）：10A，脉冲 15A
高直流电流增益：h_FE = 200 ~ 560 @ I_C=1A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 0.36V @ I_C=5A，I_B=0.25A
高速开关特性，适合 PWM 驱动
TO-220F 全绝缘封装，25℃ 壳温耗散 25W

采用 MBIT 工艺的 NPN 外延平面硅晶体管，大电流、低饱和压降、开关速度快，适合继电器/灯/电机驱动与逆变电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220F	NPN	50	120	10	25	200~560	0.36

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	15	A
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	1.65	W
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	25	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=0.1mA; I_E=0	120	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA; I_B=0	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=0.1mA; I_C=0	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V; I_E=0	--	10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V; I_C=0	--	10	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A; V_CE=2V	200	560	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=5A; V_CE=2V	100	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=0.25A	--	0.36	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5A; I_B=0.25A	--	1.4	V

应用

继电器驱动低饱和压降减少驱动管自身损耗，适合多路继电器阵列。
灯负载驱动汽车与工业灯具的开关驱动。
直流电机驱动10A 电流能力，用于中小功率电机启停与调速。
DC-DC 变换与逆变开关速度快，适合 PWM 变换与逆变电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号