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2SC6097 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极电流（I_C）：3A（脉冲 5A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.15V（Max）@ I_C=1A，I_B=50mA
高直流电流增益（h_FE）：300 ~ 600 @ I_C=100mA
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃（0.8W @ T_a=25℃）
大电流容量、高速开关、批次一致性好
封装：TO-252（DPAK）（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SC6097 是一款硅 NPN 外延平面型功率三极管，具有 60V/3A 的电压电流能力、300 以上的高直流电流增益与低饱和压降，采用大电流容量、高耗散功率设计，适用于 DC-DC 变换器、继电器/灯具/电机驱动与逆变器等高速开关场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252 (DPAK)	Single-N	100	60	6.5	3	0.15	300	600	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	6.5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	5	A
I_B	基极电流（连续）	600	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	0.8	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=50mA	--	0.15	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=100mA	--	0.135	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=100mA	--	1.2	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	6.5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=2V	300	600	--

应用

DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
继电器 / 灯具驱动继电器驱动与灯具驱动（Relay drivers, lamp drivers）应用。
电机驱动与逆变器电机驱动与逆变器（Motor drivers, inverter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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