2SD1061Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极电流（I_C）：7A（脉冲 12A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=4A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 280 @ I_C=1A
与 2SB825（PNP）互补配对
封装：TO-220AB（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD1061 是一款硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-220AB 封装，具有 50V/7A 的电压电流能力与 40W 的集电极耗散功率，饱和压降仅 0.4V、安全工作区宽，与 PNP 型 2SB825 互补配对，适用于电磁阀驱动、高速逆变器与转换器等通用大电流开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	60	50	6	7	0.4	70	280	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	12	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.12	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	6.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	70	280	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=2V	30	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	--	0.4	V

h_FE 分档

等级	Q	R	S
h_FE 范围	70 ~ 140	100 ~ 200	140 ~ 280

应用

电磁阀驱动电磁阀等通用大电流开关（Solenoid driving）应用。
高速逆变器高速逆变器（High speed inverter）应用。
转换器转换器（Converter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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