当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD1062 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=6.0A
集电极电流（I_C）：12A（脉冲 15A）
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
与 2SB826 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.125℃/W
封装：TO-220

2SD1062 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 50V/12A 的电流承载能力与低饱和压降，适用于继电器驱动、高速逆变器、转换器及通用大电流开关应用，与 2SB826 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	50	6	12	0.5	70	280	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	12	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	15	A
P_C	集电极耗散功率	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	60	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	0.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	70	280	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=2V	30	--	--

h_FE 分档

档位	Q	R	S
h_FE 范围	70-140	100-200	140-280

应用

继电器驱动继电器驱动器（Relay Drivers）应用。
高速逆变器高速逆变器（High-Speed Inverters）应用。
转换器与大电流开关转换器（Converters）及其他通用大电流开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号