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2SD1071 国产替代NPN Silicon Darlington Power Transistor

NPN Silicon Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：300V（最小）
集电极电流（I_C）：6A，集电极耗散 40W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE ≥ 500 @ I_C=4A，V_CE=2V
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 1.5V @ I_C=4A，I_B=15mA
内置基极-发射极分流电阻与集电极-发射极稳压（钳位）二极管
TO-220 封装，高可靠性、批次一致性好

NPN 硅达林顿功率晶体管（内置稳压二极管），高电流增益与低饱和压降使其可直接由小电流信号驱动大电流负载。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN 达林顿	300	300	6	40	≥500	1.5

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	40	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	300	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0	300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=150mA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=4A；I_B=15mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=4A；I_B=15mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=250V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	150	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	500	--	--

应用

音频功率放大器达林顿高增益特性适合音频功放输出级，低饱和压降有利于降低失真与损耗。
继电器与电磁阀驱动可由前级小信号直接驱动，6A 电流能力覆盖多数工业继电器与电磁阀。
电机控制直流电机通断与调速，内置钳位二极管可吸收感性负载关断尖峰。
通用功率放大需要高输入阻抗、高电流增益的通用功率开关与放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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