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2SD1133 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：50V（Min）
集电极电流 I_C：4A 连续，I_C(peak)：8A 峰值
集电极耗散功率 P_C：40W @ T_C=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤1.0V @ I_C=2A
直流电流增益 h_FE：60~320（B / C / D 三档）
与 2SB857 互补配对
封装：TO-220AB

2SD1133 是一款 50V/4A 低频 NPN 功率三极管，TO-220AB 封装，饱和压降低、增益分档齐全，适合作音频功率放大器的输出级与串联稳压调整管，与 2SB857 构成互补对，为 Hitachi 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-220AB	50	70	4	40	≤1.0	60	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_C(peak)	集电极电流（峰值）	8	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	40	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-45 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10μA；I_E=0	70	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10μA；I_C=0	5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=1A；V_CE=4V	--	1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1.0	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	60	320	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=4V	35	--	--

h_FE 分档

B	C	D
60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

低频功率放大音频功率放大器的输出级与驱动级（Low frequency power amplifier）。
串联稳压线性稳压电源的调整管。
电机 / 继电器驱动中小功率直流电机与继电器驱动。
通用开关一般用途的功率开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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