当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD1138 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极-发射极电压（V_CEO）：150V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：2A（峰值 5A）
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=3.0V（Max）@ I_C=0.5A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=50mA
与 2SB861（PNP）互补配对
封装：TO-220AB

2SD1138 是一款硅 NPN 三重扩散高压功率三极管，采用 TO-220AB 封装，具有 150V/2A 的电压电流能力与 30W 的集电极耗散功率，与 2SB861（PNP）互补配对，适用于低频高压功率放大与彩电垂直偏转输出等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	200	150	6	2	3.0	60	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=5mA；I_C=0A	6.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0A	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=50mA；V_CE=4V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=10V	60	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极电压	I_C=50mA；V_CE=4V	--	1.0	V

h_FE 分档

等级	B	C
h_FE-1 范围	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

低频高压功率放大低频高压功率放大器（Low Frequency High Voltage Power Amplifier）。
彩电垂直偏转输出彩电垂直偏转输出级（TV Vertical Deflection Output）。
高压开关高压开关与驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号