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2SD1163 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：300V
集电极电流（I_C）：7A（脉冲 10A）
饱和压降：V_CE(sat)=2.0V（Max）@ I_C=5.0A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：25（Min）@ I_C=5A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.125℃/W
封装：TO-220C（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD1163 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 120V/7A 的电压电流能力与较高的集电极-基极耐压，专为电视机行偏转输出设计，适用于 CRT 行输出及类似的高反压脉冲开关场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	300	120	6	7	2.0	25	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	10	A
P_C	集电极耗散功率	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10mA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=300V；I_E=0	--	5	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	25	--	--

应用

电视机行偏转输出电视机行偏转输出（TV horizontal deflection output）应用。
高反压脉冲开关高反压脉冲开关电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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