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2SD1296 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：150V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
发射极-基极电压（V_EBO）：8V
集电极电流（I_C）：15A（连续），峰值 30A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：1.5V（Max）@ I_C=15A
高直流电流增益（h_FE）：1000 ~ 30000 @ I_C=15A
封装：TO-3PN

2SD1296 是一款 100V / 15A / 100W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3PN 封装，电流增益高、饱和压降低，适用于音频功放输出级与低速大电流开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	Single-N	150	100	8	15	100	1.5	1000 ~ 30000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=30mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=30mA	--	2.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	5	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=2V	1000	30000	--

应用

音频功率放大大功率功放输出级与大电流缓冲级。
低速大电流开关工业设备的低速大电流通断。
电机驱动直流电机与执行器的大电流驱动。
稳压电源大电流串联调整与扩流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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