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2SD1348 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：50V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：4A（连续），峰值 6A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：0.5V（Max）@ I_C=2A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 560 @ I_C=100mA
特征频率（f_T）：150MHz，与 2SB986（PNP）互补
封装：TO-126

2SD1348 是一款 50V / 4A / 10W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-126 封装，电流容量大、饱和压降低、特征频率高，与 2SB986（PNP）互补，适用于电源、继电器与灯驱动。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-126	Single-N	60	50	6	4	10	0.5	100 ~ 560	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	60	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1.0mA；R_BE=∞	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2.0A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2.0A；I_B=0.1A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=100mA；V_CE=2V	100	560	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	40	--	--
f_T	特征频率	I_C=50mA；V_CE=10V	150	--	MHz

应用

电源电路中小功率线性稳压与开关电源。
继电器驱动继电器线圈的大电流驱动。
灯驱动指示灯、车灯的开关驱动。
电机驱动小型直流电机与执行器驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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