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2SD1390Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=700V（Min）
集电极-基极电压：V_CBO=1500V
集电极电流：I_C=2A（连续）
集电极耗散功率：P_C=40W
低饱和压降：V_CE(sat)=5.0V（Max）@ I_C=2A
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD1390 是一款 700V / 2A 硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220 封装，具备 1500V 的集电极-基极耐压，专为市电供电的行偏转输出等高压开关电路设计。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	T_j (℃)	Structure
TO-220	1500	700	2	40	5.0	2.0	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	700	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=1A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=1A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=750V；I_E=0	--	50	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=5V	2.0	--	--

应用

行偏转输出市电供电的行偏转输出电路（line-operated horizontal deflection output）。
高压开关需要高耐压、中等电流的开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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