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2SD1402 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极击穿电压（V_CBO）：1500V（Min）
集电极-发射极电压（V_CEO）：800V
高速开关、高可靠性
集电极电流（I_C）：5A
集电极耗散功率（P_C）：120W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.0℃/W
封装：TO-3P

2SD1402 是一款硅 NPN 高压开关功率三极管，具有 1500V 高耐压与高速开关特性，适用于彩色电视机行输出及高压开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-N	1500	800	6	5	5.0	8	—	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	120	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0A	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0A	6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.8A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--

应用

彩电行输出彩色电视机行输出（CRT Horizontal Output）应用。
高压开关高压开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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