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2SD1403 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：800V（最小）
集电极电流（I_C）：6A，集电极耗散 120W @ T_C=25℃
高耐压：V_CBO 1500V，适合 CRT 行输出级的高反峰电压场合
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 5.0V @ I_C=5A，I_B=1A
开关速度快，安全工作区（ASO）宽
TO-3PN 封装，高可靠性、批次一致性好

NPN 硅三重扩散功率晶体管，1500V/6A/120W，专为彩色电视接收机行输出电路等高压高速开关场合设计。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3PN	NPN	800	1500	6	120	≥8	5.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1500	V
V_CEO	集电极-发射极电压	800	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	120	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	800	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	6.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=1A	--	5.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=1A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=800V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	8	--	--

应用

CRT 行输出彩色电视接收机行偏转输出级，1500V 耐压承受行逆程高反峰电压。
高压开关需要 800V 级耐压与 6A 电流能力的通用高压开关电路。
开关电源高压母线侧功率开关，120W 耗散配合散热器可承载较大平均电流。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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