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2SD1407 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-220（NIS）封装
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极电流（I_C）：5A
集电极耗散功率（P_C）：30W
饱和压降 V_CE(sat)≤2.0V @ I_C=4A
h_FE 分 R / O / Y 三档，便于选型
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.17℃/W

2SD1407 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220（NIS）封装，具有 100V/5A 的电压电流能力与 30W 耗散功率，饱和压降低、h_FE 分三档，适用于功率放大等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	100	100	5	5	2.0	40	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率	30	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.4A	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通压降	I_C=1A；V_CE=5V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	40	240	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=5V	20	--	--

h_FE 分档

档位	R	O	Y
h_FE 范围	40 - 80	70 - 140	120 - 240

应用

功率放大功率放大（Power Amplifier Applications）应用。
电源调整线性稳压与电源调整（Power supply regulation）应用。
通用开关通用功率开关（General power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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