当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD1415 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
高直流电流增益：h_FE=2000 ~ 15000 @ I_C=3A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=3A
集电极电流（I_C）：7A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
与 2SB1020 互补，内置达林顿结构
封装：TO-220F

2SD1415 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 100V/7A 的电流承载能力与极高电流增益，适用于大功率开关、锤击驱动与脉冲电机驱动等应用，与 2SB1020 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N Darlington	100	100	5	7	2.0	2000	15000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	7	A
I_B	基极电流	0.2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	100	--	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=6mA	--	0.9	1.5	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=7A；I_B=14mA	--	1.2	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=6mA	--	1.5	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	--	100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	--	3.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=3V	2000	--	15000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=7A；V_CE=3V	1000	--	--	--

应用

大功率开关大功率开关（High power switching）应用。
锤击驱动与脉冲电机驱动锤击驱动（Hammer drive）、脉冲电机驱动（Pulse motor drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号