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2SD1435 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：15A（连续），峰值 20A
集电极耗散功率（P_C）：100W @ T_C=25℃
高直流电流增益（h_FE）：1000 ~ 20000 @ I_C=8A
达林顿结构，低驱动电流
与 2SB1031（PNP）互补配对
封装：TO-3PN

2SD1435 是一款 100V / 15A / 100W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-3PN 封装，电流增益极高、驱动功率小，与 2SB1031（PNP）互补，适用于低频功率放大与大电流开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3PN	Single-N	100	100	7	15	100	2.0	1000 ~ 20000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_CP	集电极电流（峰值）	20	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=1mA	100	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=50mA；I_C=0	7.0	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=16mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=150mA	--	3.0	V
V_BE(sat)-1	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=16mA	--	2.5	V
V_BE(sat)-2	基极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=150mA	--	3.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=80V	--	1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=3V	1000	20000	--

应用

低频功率放大音频功放输出级，高增益减少前级推动。
大电流开关继电器、电磁阀、灯组的大电流驱动。
电机驱动直流电机与步进电机的功率驱动。
稳压电源大电流串联调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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