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2SD1691 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极电流（I_C）：5A，脉冲 8A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.3V（Max）@ I_C=2A
直流电流增益（h_FE）：160 ~ 400 @ I_C=2A
与 2SB1151（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SD1691 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 60V/5A 的电压电流能力与 0.3V 的低饱和压降，大电流下增益稳定，与 PNP 型 2SB1151 互补配对，适用于 DC-DC 变换器功率开关与电磁阀、电机驱动场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	60	60	7	5	0.3	160	400	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	8	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	0.3	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.2	V
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=1V；I_C=0.1A	60	--	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=1V；I_C=2A	160	400	--
h_FE-3	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=5A	50	--	--

h_FE 分档

O	Y
160 ~ 320	200 ~ 400

应用

DC-DC 变换器DC-DC 变换器功率开关（DC-DC Converter Power Switch）应用。
电磁阀驱动电磁阀（Electromagnetic Valve）驱动应用。
电机驱动小型电机驱动应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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