当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD1789 国产替代NPN Darlington Power Transistor

NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：200V（Min）
集电极电流 I_C：4A 连续，I_CM：6A 峰值
集电极耗散功率 P_C：25W @ T_C=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤1.5V @ I_C=1A
直流电流增益 h_FE：1500~30000（达林顿结构，驱动电流极小）
封装：TO-220F（ITO-220 全包封）

2SD1789 是一款 200V/4A NPN 达林顿功率三极管，TO-220F 全包封，h_FE 高达 1500 以上，可用毫安级基极电流控制数安培集电极电流，适合作线性稳压电源调整管、工业继电器与低速大电流开关，为 Shindengen 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-220F	200	200	4	25	≤1.5	1500	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	200	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	6	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	25	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=1A；I_B=2mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=2mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V；I_E=0	--	0.1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=200V；I_B=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=3V	1500	30000	--

应用

线性稳压调整管线性稳压电源的调整管（Linear power supply regulator）。
工业继电器驱动工业继电器、接触器线包驱动。
低速大电流开关低速、大电流的功率开关场合。
音频功率放大音频功率放大器输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号