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2SD1802 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：50V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：3A（脉冲 6A）
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=2A，I_B=0.1A
直流电流增益：h_FE=100 ~ 560 @ I_C=0.1A
大电流容量、宽安全工作区，开关速度快
封装：TO-251（IPAK，B-C-E）

2SD1802 是一款 50V / 3A 硅 NPN 外延平面功率三极管，采用 TO-251（IPAK）封装，具有大电流容量、宽安全工作区与 0.5V 的低饱和压降，开关速度快，适用于电压调整器、继电器与灯驱动、电气设备等中小功率开关与放大电路。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-251 (IPAK)	NPN	60	50	3	15	100~560	0.5	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	8.3	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	1.0	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	μA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.1A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.1A	--	1.2	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=2V	100	560	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=2V	35	--	--

应用

电压调整器线性稳压器的串联调整管。
继电器驱动继电器、电磁阀的开关驱动。
灯光驱动指示灯、灯组的开关控制。
电气设备开关各类电气设备的功率开关与放大环节。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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