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2SD1899Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：3A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：1.0W
集电极-发射极饱和压降低（V_CE(sat)）：0.25V（Max）@ I_C=1.5A
特征频率（f_T）：120MHz
封装：TO-252

2SD1899 是一款 60V / 3A 的 NPN 功率三极管，采用 TO-252 封装，饱和压降低、开关速度快、h_FE 线性好，适用于继电器驱动、高速逆变与通用大电流开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-252	Single-N	60	60	7	3	1.0	0.25	100 ~ 400	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
P_C	集电极耗散功率	1.0	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=150mA	--	0.25	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=1.5A；I_B=150mA	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.2A；V_CE=2V	60	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.6A；V_CE=2V	100	400	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	50	--	--
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=10V；f=1MHz	--	30	pF
f_T	特征频率	I_C=1.5A；V_CE=5V	120	--	MHz

应用

继电器驱动小型继电器与接触器线圈驱动。
高速逆变高频开关与逆变电路。
大电流开关通用大电流通断控制。
混合集成电路厚膜与混合 IC 中的功率输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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