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2SD2081 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：120V
集电极-基极电压（V_CBO）：120V
发射极-基极电压（V_EBO）：6V
集电极电流（I_C）：10A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
高直流电流增益：h_FE=2000（Min）@ I_C=5A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=5A
封装：TO-220F

2SD2081 是一款 120V / 10A 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220F 封装，直流电流增益高达 2000、饱和压降低，与 2SB1259（PNP）互补配对，适用于音频功放、串联稳压与电磁阀、电机驱动。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-220F	Single-N	120	120	6	10	30	1.5	2000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	120	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=5mA	--	1.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=5mA	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=120V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0	--	10	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	2000	--	--

应用

音频功放音频功率放大器输出级。
串联稳压串联型稳压电源调整管。
电磁阀驱动电磁阀、继电器等感性负载驱动。
电机驱动小型直流电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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