当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD2394 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：7V
集电极电流（I_C）：3A（峰值 6A）
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=2A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 320 @ I_C=0.5A
与 2SB1565（PNP）互补配对
封装：TO-220FN

2SD2394 是一款硅 NPN 三重扩散平面型功率三极管，采用 TO-220FN 封装，具有 60V/3A 的电压电流能力、低饱和压降与优良的直流电流增益线性度，安全工作区宽，适用于低频功率放大与驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220FN	Single-N	80	60	7	3	1.0	100	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0A	60	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=50µA；I_B=0A	80	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_C=50µA；I_B=0A	7	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=60V；I_E=0A	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0A	--	10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=5V	100	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.5	V

应用

低频功率放大低频功率放大器（Low Frequency Amplifier）输出级。
音频放大音频功率放大与驱动级。
驱动电路继电器、电磁阀等负载的驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号