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2SD2583 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：30V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：30V
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=4A
高直流电流增益：h_FE=150 ~ 600 @ I_C=1A
集电极电流（I_C）：5A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
封装：TO-126

2SD2583 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 30V/5A 的电压电流能力、低饱和压降与高直流电流增益，与 2SB1658 互补配对，适用于音频功率放大器及开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	30	30	6	5	0.5	150	600	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	30	V
V_CEO	集电极-发射极电压	30	V
V_EBO	发射极-基极电压	6	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA；I_B=0A	30	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=100µA；I_E=0A	30	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=100µA；I_C=0A	6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=30V；I_E=0A	--	0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=6V；I_C=0A	--	0.1	µA
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=0.05A	--	0.15	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.1A	--	0.25	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.2A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.1A	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=1A	150	600	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=4A	50	--	--

应用

音频功率放大器音频功率放大器（Audio Frequency Power Amplifier）应用。
开关电路开关（Switching）电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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