2SD2633 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：200V
集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：150V
集电极电流（I_C）：8A
极高直流电流增益（达林顿）：h_FE=2000（Min）@ I_C=6A
低饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=6A
集电极耗散功率（P_C）：35W
最高结温 150℃
封装：TO-220F（全包封绝缘，1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD2633 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220F 全包封绝缘封装，具有 200V 的集电极-基极电压、150V 的集电极-发射极击穿电压、8A 电流能力与 35W 的耗散功率，h_FE≥2000 的极高电流增益、1.5V 的低饱和压降，主要用于汽车发电机（Alternator）等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-N (Darlington)	200	150	5	8	1.5	2000	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	150	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
P_C	集电极耗散功率	35	W
T_j	结温	150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
h_FE	直流电流增益	V_CE=2V；I_C=6A	2000	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=200V	--	100	µA

应用

汽车发电机汽车发电机（Alternator）应用。
通用开关与放大通用开关与放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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