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2SD2901 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：1600V
集电极-发射极电压（V_CEO）：900V
集电极电流（I_C）：8A（峰值 30A）
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=0.95V（Max）@ I_C=4.5A，I_B=2A
开关速度快，适合行输出电路
封装：TO-3P

2SD2901 是一款 900V / 8A / 60W 的高反压 NPN 硅功率三极管，采用 TO-3P 封装，耐压高、饱和压降低、开关速度快，适用于彩色电视机行输出电路与其他高压开关场合。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	R_th(j-c) (℃/W)	Structure
TO-3P	Single-N	1600	900	8	60	0.95	6	2.08	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	1600	V
V_CEO	集电极-发射极电压	900	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	30	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	900	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=1600V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	mA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	0.95	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4.5A；I_B=2A	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=5V	20	30	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4.5A；V_CE=5V	6	--	--

应用

行输出电路CRT 电视/显示器的行偏转输出级。
高压开关电源离线式高压输入的开关管。
逆变与脉冲电路高压脉冲发生与放电回路。
通用高压开关高压大电流负载的通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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