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2SD313 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：60V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=2.0A
集电极电流（I_C）：3A（脉冲 6A）
集电极耗散功率（P_C）：30W
直流电流增益 h_FE：40 ~ 320 @ I_C=1A，V_CE=2V
与 2SB507 互补
结-壳热阻（R_{th j-c}）：4.17℃/W
封装：TO-220

2SD313 是一款硅 NPN 功率三极管，具有低集电极-发射极饱和压降，适用于 15W~25W 功率放大器输出级等音频功率放大应用，与 2SB507 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	60	5	3	1.0	40	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	6	A
P_C	集电极耗散功率	30	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0A	60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=20V；I_E=0A	--	100	µA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=60V；I_B=0A	--	5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	40	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=2V	40	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=2V	--	1.5	V

h_FE-1 分档

档位	C	D	E	F
h_FE 范围	40 ~ 80	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

音频功放输出15W~25W 功率放大器（Power Amplifier）输出级。
通用放大与开关通用放大与开关（General Purpose Amplifier & Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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