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2SD362 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：70V（最小），V_CBO 150V
集电极电流（I_C）：5A，集电极耗散 40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 1.0V @ I_C=5A，I_B=0.5A
h_FE 分 N / R / O 三档：20~50 / 40~80 / 70~140
开关特性好，适合行偏转输出等脉冲工作场合
TO-220 封装，批次一致性好

NPN 硅三重扩散功率晶体管，150V/5A/40W，适用于黑白电视接收机行偏转输出及通用功率开关场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	NPN	70	150	5	40	20~140	1.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	70	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	40	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=2mA；I_B=0	70	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA；I_E=0	150	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	8	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	20	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	20	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.5	V
h_FE	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=5V	20	140	--

h_FE 分档

N	R	O
20 ~ 50	40 ~ 80	70 ~ 140

应用

行偏转输出黑白电视接收机行输出级，150V 耐压承受行逆程反峰电压。
功率开关5A 电流能力与 40W 耗散，适合中等功率负载的通断控制。
脉冲放大需要较高耐压与较大脉冲电流的开关与放大电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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