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2SD476 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：70V
集电极电流（I_C）：4A（峰值 8A）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=2A，I_B=0.2A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200（B/C 两档）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：3.12℃/W
与 2SB566（PNP）互补配对
封装：TO-220AB（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD476 是一款硅 NPN 三重扩散型功率三极管，采用 TO-220AB 封装，具有 50V/4A 的电压电流能力、40W 的耗散功率与 1.0V 的低饱和压降，与 PNP 型 2SB566 互补配对，适用于低频功率放大与功率开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	70	50	5	4	1.0	60	200	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.12	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	70	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA	50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=0.1A；V_CE=4V	35	--	--

h_FE 分档

档位	B	C
h_FE-1 范围	60-120	100-200

应用

低频功率放大低频功率放大（Low frequency power amplifier）应用。
功率开关功率开关（Power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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