当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SD526 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极电流（I_C）：4A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_c=25℃
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 240 @ I_C=0.5A（R/O/Y 三档）
饱和压降：V_CE(sat)=1.5V（Max）@ I_C=3A
h_FE 线性度好，适合 20~25W 高保真音频输出级
与 2SB596（PNP）互补配对
封装：TO-220AB（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SD526 是一款硅 NPN 三重扩散型功率三极管，采用 TO-220AB 封装，具有 80V/4A 的电压电流能力、30W 的耗散功率与良好线性度的 h_FE，与 PNP 型 2SB596 互补配对，推荐用于 20~25W 高保真音频功放输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220AB	Single-N	80	80	5	4	1.5	40	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_B	基极电流（连续）	0.4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	30	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	100	µA
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=50mA；I_B=0	80	--	V
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=5V；I_C=0.5A	40	240	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=5V；I_C=3A	15	50	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=0.3A	--	1.5	V
V_BE	基极-发射极电压	V_CE=5V；I_C=3A	--	1.5	V
C_ob	输出电容	V_CB=10V；I_E=0；f=1MHz	--	90	pF

h_FE 分档

档位	R	O	Y
h_FE-1 范围	40-80	70-140	120-240

应用

音频功率放大20~25W 高保真音频功放输出级（Power amplifier applications）应用。
通用功率放大通用功率放大与开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号