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2SD600 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极电流（I_C）：1A（脉冲 2A）
低饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=0.5A，I_B=50mA
集电极耗散功率（P_C）：8W @ T_c=25℃（1W @ T_a=25℃）
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 320（D/E/F 三档）
h_FE 线性度好、饱和压降低
与 2SB631（PNP）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SD600 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-126 封装，具有 100V/1A 的电压电流能力、8W 的耗散功率与 0.4V 的低饱和压降，h_FE 线性度好，与 PNP 型 2SB631 互补配对，适用于功率放大等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-N	100	100	5	1	0.4	60	320	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	8	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=10µA；I_E=0	100	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=1mA	100	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=10µA；I_C=0	5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=500mA；I_B=50mA	--	1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=50V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=4V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=50mA；V_CE=5V	60	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=5V	20	--	--

h_FE 分档

档位	D	E	F
h_FE-1 范围	60-120	100-200	160-320

应用

功率放大功率放大（Power amplifier）应用。
通用放大通用小功率放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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