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2SD669 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：120V，V_CBO 180V
集电极电流（I_C）：1.5A，峰值 3A
直流电流增益：h_FE = 60 ~ 320 @ I_C=150mA（分 B/C/D 三档）
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 1.0V @ I_C=500mA，I_B=50mA
特征频率 f_T 典型 140MHz
TO-126 封装，25℃ 壳温耗散 20W
与 2SB649（PNP）互补

NPN 硅外延平面晶体管，高耐压、低饱和压降、h_FE 线性好，适用于低频功率放大与驱动级。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-126	NPN	120	180	1.5	20	60~320	1.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	120	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	3	A
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	1	W
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	20	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=1mA; I_E=0	180	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA; I_B=0	120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA; I_C=0	5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=160V; I_E=0	--	10	μA
h_FE1	直流电流增益	V_CE=5V; I_C=150mA	60	320	--
h_FE2	直流电流增益	V_CE=5V; I_C=500mA	30	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=500mA; I_B=50mA	--	1.0	V
V_BE	基极-发射极电压	V_CE=5V; I_C=150mA	--	1.5	V

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	特征频率	V_CE=5V; I_C=150mA	140	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=10V; I_E=0; f=1MHz	14	pF

h_FE 分档

B	C	D
60~120	100~200	160~320

应用

低频功率放大音频与低频放大器的驱动级与输出级，与 2SB649 互补。
电源调整小功率线性稳压的串联调整管。
继电器与灯驱动1.5A 电流能力，适合中小负载驱动。
开关电路高压侧小电流开关，120V 耐压留有余量。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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