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2SD717 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：70V
集电极电流（I_C）：10A
低饱和压降：V_CE(sat)=0.4V（Max）@ I_C=6A
集电极耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 240（O/Y 两档）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
封装：TO-3P(I)

2SD717 是一款硅 NPN 功率三极管，具有 50V/10A 的电压电流能力、80W 的集电极耗散功率与 0.4V 的低饱和压降，适用于大功率开关、DC-DC 变换器与 DC-AC 逆变器等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P (I)	Single-N	70	50	5	10	0.4	70	240	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	50	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	10	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=70V；I_E=0	--	10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=6A；I_B=0.3A	--	1.2	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=1V	70	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=6A；V_CE=1V	30	--	--

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70-140	120-240

应用

大功率开关大功率开关（High Power Switching）应用。
DC-DC / DC-AC 变换DC-DC 变换器与 DC-AC 逆变器（DC-DC Converter / DC-AC Inverter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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