Silicon NPN Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SD797 是一款硅 NPN 大功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 80V/30A 的电压电流能力、200W 的耗散功率与 175℃ 的最高结温，电流承载能力强、耗散功率高，适用于高功率放大、高功率开关、DC-DC 变换器与稳压器等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3 | Single-N | 100 | 80 | 7 | 30 | 1.5 | 60 | 200 | Silicon NPN |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | 100 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | 80 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | 7 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | 30 | A |
| IB | 基极电流（连续） | 8 | A |
| PC | 集电极耗散功率 @ Tc=25℃ | 200 | W |
| Tj | 结温 | 175 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -65 ~ 175 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=10mA；IB=0 | 80 | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=15A；IB=3A | -- | 1.5 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=15A；IB=3A | -- | 2.5 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=100V；IE=0 | -- | 0.1 | mA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=7V；IC=0 | -- | 0.1 | mA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=1A；VCE=5V | 60 | 200 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=15A；VCE=5V | 10 | -- | -- |
| Cob | 输出电容 | IE=0；VCB=10V；f=1MHz | -- | 400 | pF |
| fT | 特征频率 | IC=1A；VCE=5V | 1.5 | -- | MHz |
| ton | 开通时间 | VCC=50V；RL=10Ω；IB1=IB2=0.5A | -- | 2.5 | µs |
| tstg | 存储时间 | VCC=50V；RL=10Ω；IB1=IB2=0.5A | -- | 6.0 | µs |
| tf | 下降时间 | VCC=50V；RL=10Ω；IB1=IB2=0.5A | -- | 1.5 | µs |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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