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2SD799 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：400V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：600V
达林顿结构，高直流电流增益：h_FE=600（Min）@ I_C=2A
集电极电流（I_C）：6A；基极电流（I_B）：1A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
内置阻尼二极管（V_ECF=3.0V Max @ I_E=4A）
输出电容 C_OB：35pF（典型值）
封装：TO-220

2SD799 是一款硅 NPN 达林顿功率三极管，具有 400V 高击穿电压与高直流电流增益，内置阻尼二极管，适用于点火器（Igniter）与高压开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N (Darlington)	600	400	5	6	2.0	600	--	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（发射极开路）	600	V
V_CEO	集电极-发射极电压（基极开路）	400	V
V_EBO	发射极-基极电压（集电极开路）	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_j=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=10mA；I_B=0	400	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.04A	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=0.04A	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=600V；I_E=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	3.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	600	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	100	--	--
V_ECF	阻尼二极管正向压降	I_E=4A；I_B=0	--	3.0	V
C_OB	输出电容	f=1MHz；V_CB=50V	--	35	pF

应用

点火器点火器（Igniter）驱动应用。
高压开关高压开关（High-Voltage Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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