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2SD882 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：40V
集电极-发射极电压（V_CEO）：30V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：3A（峰值 7A）
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=0.5V（Max）@ I_C=2A，I_B=0.2A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 400 @ I_C=1A
与 2SB772（PNP）互补配对
封装：TO-126

2SD882 是一款 30V / 3A 的 NPN 外延平面型功率三极管，采用 TO-126 封装，饱和压降低、电流增益线性好，与 2SB772（PNP）互补配对，适用于 3W 音频功放输出级、稳压电源、DC-DC 变换器与继电器驱动。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-126	Single-N	40	30	5	3	10	0.5	60	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	30	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	3	A
I_CM	集电极电流（峰值）	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=0.2A	--	2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=30V；I_E=0	--	1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=3V；I_C=0	--	1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=20mA；V_CE=2V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=2V	60	400	--

应用

音频功率放大3W 音频功放输出级与推动级。
稳压电源串联型稳压电源的调整管。
继电器驱动继电器、电磁阀等负载驱动。
DC-DC 变换器小功率 DC-DC 变换器的开关管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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